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Célula solar de silicio TOPCon M10 16BB tipo N

Célula solar de silicio TOPCon M10 16BB tipo N

Dimensiones :
182mm*182mm±0.5mm，Φ247mm±0.5mm
Espesor :
130±20µm
Frente (-) :
16*0.036±0.02mm busbar (silver)，132 Fingers, Blue (dark blue)
Atrás (+) :
16*0.036±0.02mm busbar (silver)，130 Fingers, Blue (dark blue)

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¿Qué es la tecnología TOPCon?

El nombre completo de TOPCON es Tunnel Oxide Passivating Contacts, que es una tecnología de células de oblea de silicio tipo N. Las células TOPCon, concretamente las células solares de contacto con pasivación de óxido tunelizado, tienen como objetivo mejorar la eficiencia de las células solares resolviendo el problema del contacto de pasivación de la selección del portador de células.

La superficie frontal de la celda TOPCON tiene la misma estructura que la de las celdas solares convencionales de tipo N, la principal diferencia es preparar una capa de óxido de silicio ultrafino en la parte posterior de la batería y luego depositar una fina capa de silicio dopado. , que juntos forman una estructura de contacto de pasivación, reduciendo efectivamente el compuesto de superficie y el compuesto de contacto metálico.

Debido al buen efecto de pasivación del óxido de silicio ultrafino y la película de silicio fuertemente dopada, la banda superficial de la oblea de silicio se dobla, formando así un efecto de pasivación de campo, la probabilidad de tunelización de electrones aumenta considerablemente y la resistencia de contacto se reduce. y finalmente se mejora la eficiencia de conversión.

Fiabilidad de la intensidad de la luz

Intensidad (W/m²)	1000	900	800	600	400
uoc	1.0	0.996	0.991	0,988	0.962
isc	1.0	0.903	0.803	0.602	0.403
* Tomando como estándar el Voc(Isc) probado a 1000W/m², pruebe la disminución de Voc (Isc) con la intensidad de la luz.

Soldabilidad curva IV

Fuerza mínima de pelado	≥0,5 N/mm
Los resultados pueden variar según el electrodo, el método de soldadura y las condiciones.

Distribución de rendimiento eléctrico frontal.

Eficiencia código	Eficiencia Ef(%)	Máximo potencia de salida Pmpp(W)	Poder maximo voltaje puntual Vmpp(V)	Poder maximo punto actual Impp(A)	Circuito abierto Voltaje Voc(V)	Corto- circuito actual Isc(A)	Factor de llenado FF(%)
GT-182M-247	24.7	8.155	0,622	13.111	0,712	13.787	83.11
GT-182M-246	24.6	8.122	0.620	13.091	0,711	13.776	83.03
GT-182M-245	24,5	8.089	0,619	13.068	0.709	13.759	82,92
GT-182M-244	24.4	8.056	0,617	13.031	0.707	13.755	82,81
GT-182M-243	24.3	8.023	0,617	12.999	0.705	13.752	82,72
GT-182M-242	24.2	7.990	0.615	12.992	0.703	13.750	82,62
GT-182M-241	24.1	7.957	0,614	12.960	0.701	13.734	82,59
GT-182M-240	24.0	7.924	0,612	12.948	0,699	13.730	82,53
GT-182M-239	23.9	7.891	0.610	12.936	0,698	13.707	82,44
GT-182M-238	23.8	7.858	0.608	12.925	0,697	13.687	82,35
GT-182M-237	23.7	7.825	0.606	12.913	0,696	13.663	82,26
GT-182M-236	23.6	7.792	0.604	12.901	0,695	13.643	82.14
GT-182M-235	23,5	7.759	0.602	12.889	0,694	13.615	82.09
GT-182M-234	23.4	7.726	0.600	12.877	0,693	13.592	81,99
GT-182M-233	23.3	7.693	0,598	12.865	0,692	13.577	81,85

Distribución de potencia eléctrica trasera.

Eficiencia código	Eficiencia Ef(%)	Máxima salida fuerza Pmpp(W)	Máximo tensión de salida Ump(V)	Máximo corriente de salida Impp(A)	Circuito abierto Voltaje Voc(V)	Cortocircuito actual Isc(A)
GT-182M-20.3	>20,5%	6.703	0.586	11.43	0,692	12.734
GT-182M-20.2	20,3%-20,5%	6.670	0.585	11.41	0,691	12.690
GT-182M-20.1	20,1%-20,3%	6.637	0.584	11.37	0.690	12.645
GT-182M-20.0	<20,1%	6.604	0.582	11.34	0,689	12.625
Condiciones de prueba estándar: 1000 W/m², AM1,5, 25℃. Los parámetros técnicos anteriores están sujetos a cambios técnicos y pruebas.Todos los datos contenidos en esta hoja de datos están sujetos a cambios sin previo aviso.