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Célula solar monocristalina TOPCon tipo N 182 mm 16BB

Célula solar monocristalina TOPCon tipo N 182 mm 16BB

Dimensiones :
182mmx182mm±0.5mm, Φ 247.28mm±0.5mm
Espesor :
130μm±13μm, 120μm±12μm
Frente (-) :
16 busbars, 12 pads, 144 fingers, busbar width 0.036±0.02mm
Atrás (+) :
16 busbars, 12 pads, 146 fingers, busbar width 0.036±0.02mm

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Detalles de producto

Introducción de la tecnología TOPCon

El nombre completo de TOPCON es Tunnel Oxide Passivating Contacts, que es una tecnología de células de oblea de silicio tipo N. Las células TOPCon, concretamente las células solares de contacto con pasivación de óxido tunelizado, tienen como objetivo mejorar la eficiencia de las células solares resolviendo el problema del contacto de pasivación de la selección del portador de células.

La superficie frontal de la celda TOPCON tiene la misma estructura que la de las celdas solares convencionales de tipo N, la principal diferencia es preparar una capa de óxido de silicio ultrafino en la parte posterior de la batería y luego depositar una fina capa de silicio dopado. , que juntos forman una estructura de contacto de pasivación, reduciendo efectivamente el compuesto de superficie y el compuesto de contacto metálico.

Debido al buen efecto de pasivación del óxido de silicio ultrafino y la película de silicio fuertemente dopada, la banda superficial de la oblea de silicio se dobla, formando así un efecto de pasivación de campo, la probabilidad de tunelización de electrones aumenta considerablemente y la resistencia de contacto se reduce. y finalmente se mejora la eficiencia de conversión.

Dibujo de ingeniería (mm)

Fiabilidad de la intensidad de la luz

Intensidad (W/m²)	1000	900	800	600	400
uoc	1	0.996	0.991	0,988	0.962
isc	1	0.903	0.803	0.602	0.403
* Tomando el Voc(Isc) probado a 1000W/m² como estándar, pruebe la disminución de Voc (Isc) con la intensidad de la luz.

curva IV Respuesta espectral

Distribución de rendimiento eléctrico frontal.

Eficiencia Ef(%)	Máximo potencia de salida Pmpp(W)	Máximo fuerza voltaje puntual Vmpp(V)	Máximo fuerza punto actual Impp(A)	Circuito abierto Voltaje Voc(V)	Corto- circuito actual Isc(A)
>25,5	8.42	0.6168	13.651	0.7178	14.218
25,4~25,5	8.38	0.6159	13.606	0.7169	14.183
25,3~25,4	8.35	0.615	13.577	0.716	14.148
25,2 ~ 25,3	8.32	0.6141	13.553	0.7151	14.113
25,1 ~ 25,2	8.29	0.6131	13.518	0.7141	14.078
25,0~25,1	8.25	0.6122	13.475	0.7132	14.035
24,9~25,0	8.22	0.6114	13.44	0.7124	14.001
24,8~24,9	8.19	0.6106	13.405	0.7116	13.965
24,7~24,8	8.16	0.6097	13.37	0.7107	13.93
24,6~24,7	8.12	0.6089	13.335	0.7099	13.895
24,5~24,6	8.09	0.6081	13.3	0.7091	13,86
24,4~24,5	8.06	0.6073	13.265	0.7083	13.825
24,3~24,4	8.02	0.6065	13.23	0.7075	13,79
24,2 ~ 24,3	7,99	0.6059	13.195	0.7069	13.755
24.1~24.2	7,96	0.6054	13.155	0.7064	13.715
24,0 ~ 24,1	7,92	0.604	13.115	0.705	13.675
23,9~24,0	7,89	0.6032	13.08	0.7042	13.64
23,8~23,9	7,86	0.6024	13.055	0.7034	13.615
23,7~23,8	7,82	0.6016	13.006	0.7023	13.581
23,6~23,7	7,79	0.6008	12.968	0.7012	13.543
23,5~23,6	7,76	0.6000	12.931	0.7004	13.501
23,4~23,5	7.73	0.5992	12.893	0.6987	13.478
23,3~23,4	7,69	0.5984	12.855	0,698	13.432
23,2 ~ 23,3	7,66	0.5976	12.817	0.6971	13.392
23.1~23.2	7.63	0.5968	12.779	0.6964	13.347
23,0 ~ 23,1	7,59	0.5960	12.74	0.6957	13.303
22,9~23,0	7,56	0.5952	12.702	0,695	13.26
22,8~22,9	7.53	0.5944	12.664	0.6942	13.218
Condiciones de prueba estándar: 1000 W/m², AM1,5, 25℃. Los parámetros técnicos anteriores están sujetos a cambios técnicos. y pruebas. Todos los datos contenidos en esta hoja de datos están sujetos a cambios sin previo aviso.