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  • RHI-(3-6)K-48ES-5G3K/3,6K/4,6K/5K/6KEl inversor de almacenamiento de energía Solis es una buena opción para soluciones de almacenamiento integradas dentro y fuera de la red1. Ingresos más altos: seleccione el modo de consumo de electricidad en tiempo real según el precio de mercado;2. Alta independencia: puede funcionar fuera de la red eléctrica;3. Mayor eficiencia: Los componentes de marcas líderes internacionales brindan mayor eficiencia;4. Conmutador perfecto: está a menos de 20 ms de la red Inversor de almacenamiento de energía híbridoCaracterísticas principales● Diseño sin ventilador, larga vida útil● Potencia de respaldo de 5 kW para soportar cargas más importantes● Con capacidades de cambio y reducción de picos compatibles con la red● Múltiples modos de trabajo para maximizar el autoconsumo y aumentar el beneficio.● Mayor eficiencia de carga-descarga, mejorando los beneficios económicos.● Función EMS inteligente, que mejora la confiabilidad de la batería.● Compatible con baterías de litio y plomo-ácido, aumentó más opciones en diferentes mercados● Con Tecnología de aislamiento de alta frecuencia, lo que hace que el sistema sea más seguro y tenga una vida útil más larga.● Gestión de energía totalmente inteligente las 24 horas, conocimiento en tiempo real del estado de la planta fotovoltaica
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  • ¿Qué es la tecnología TOPCon? El nombre completo de TOPCON es Tunnel Oxide Passivating Contacts, que es una tecnología de células de oblea de silicio tipo N. Las células TOPCon, concretamente las células solares de contacto con pasivación de óxido tunelizado, tienen como objetivo mejorar la eficiencia de las células solares resolviendo el problema del contacto de pasivación de la selección del portador de células. La superficie frontal de la celda TOPCON tiene la misma estructura que la de las celdas solares convencionales de tipo N, la principal diferencia es preparar una capa de óxido de silicio ultrafino en la parte posterior de la batería y luego depositar una fina capa de silicio dopado. , que juntos forman una estructura de contacto de pasivación, reduciendo efectivamente el compuesto de superficie y el compuesto de contacto metálico. Debido al buen efecto de pasivación del óxido de silicio ultrafino y la película de silicio fuertemente dopada, la banda superficial de la oblea de silicio se dobla, formando así un efecto de pasivación de campo, la probabilidad de tunelización de electrones aumenta considerablemente y la resistencia de contacto se reduce. y finalmente se mejora la eficiencia de conversión.
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