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Oblea de proceso SE de difusión de boro

¿Qué es la tecnología TOPCon?

El nombre completo de TOPCON es Tunnel Oxide Passivating Contacts, que es una tecnología de células de oblea de silicio tipo N. Las células TOPCon, concretamente las células solares de contacto con pasivación de óxido tunelizado, tienen como objetivo mejorar la eficiencia de las células solares resolviendo el problema del contacto de pasivación de la selección del portador de células.

La superficie frontal de la celda TOPCON tiene la misma estructura que la de las celdas solares convencionales de tipo N, la principal diferencia es preparar una capa de óxido de silicio ultrafino en la parte posterior de la batería y luego depositar una fina capa de silicio dopado. , que juntos forman una estructura de contacto de pasivación, reduciendo efectivamente el compuesto de superficie y el compuesto de contacto metálico.

Debido al buen efecto de pasivación del óxido de silicio ultrafino y la película de silicio fuertemente dopada, la banda superficial de la oblea de silicio se dobla, formando así un efecto de pasivación de campo, la probabilidad de tunelización de electrones aumenta considerablemente y la resistencia de contacto se reduce. y finalmente se mejora la eficiencia de conversión.

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Nuestro proceso TOPCon

Textura

Introducción al proceso:El uso de una solución alcalina de baja concentración tiene diferentes Tasas de corrosión en diferentes caras del cristal (anisotrópico).corrosión), es decir, la relación de velocidad de corrosión de (100) caras (111) Superficie rápida, corrosión en la superficie de la oblea de silicio. para formar una topografía de superficie densa de cono de esquina (pirámide), para aumentar el papel de la incidencia de la luz.

Difusión de boro

Introducción al proceso:La unión PN se forma mediante el método de difusión térmica y la La fuente de impurezas de tricloruro de boro se descompone completamente en el reactor de difusión de alta temperatura para producir sílice y óxido de boro.

átomos, y la impureza de boro tipo P es conducida al tipo N sustrato a alta temperatura para formar la unión PN.

Láser SE

Introducción al proceso:Las células solares de emisores selectivos están dopadas con alta concentración de impurezas de boro en y cerca de la posición de contacto entre la línea de puerta de metal y la oblea de silicio mediante dopaje con láser, mientras

El dopaje de baja concentración se forma en el área fuera del posición de contacto del electrodo, lo que reduce el contacto Resistencia entre el emisor y el electrodo. La superficie La recombinación también se ve reducida por la alta resistencia de la luz. zona dopada

Oxidación

Introducción al proceso:La reacción de alta temperatura en un ambiente de oxígeno. genera una densa capa de óxido de silicio que contiene boro, que tiene como objetivo activar los átomos de boro, aumentar el dopaje efectivo, reducir la recombinación de la interfaz y mejorar la impureza del boro actividad.

BSG

Introducción al proceso:El proceso BSG consta de un tanque de proceso, un tanque de agua, un tanque de secado y mesa de carga y descarga. El tanque HF está Se utilizó por primera vez para quitar el vidrio de borosilicato en los bordes y atrás. El objetivo es preparar para el posterior pulido. proceso.

Grabado en la parte trasera

Introducción al proceso:El proceso de grabado alcalino utiliza álcalis y aditivos de pulido para pulido. El propósito es grabar la unión P-N del borde y pulirla. la parte de atrás. Después del pulido alcalino, se puede obtener una superficie con mayor reflectividad. obtenerse en la parte posterior de la oblea de silicio, lo cual es beneficioso para mejorando el rendimiento de pasivación posterior. . Después del pulido alcalino, elLa reflectividad de la parte posterior es alta, la superficie específica es pequeña, el Se reduce la pérdida de transmisión, la tasa de recombinación en la parte trasera es reducido, y la corriente de salida y la vida útil del portador minoritario son aumentado, mejorando así la eficiencia de conversión de células solares

LPCVD

Introducción al proceso:En la superficie se cultivan una capa de óxido de túnel ultrafina y una capa de poliéster. parte trasera para proporcionar una buena pasivación de la interfaz y un portador diferente barreras de túneles. Se deposita pirolíticamente una capa de polisilicio. sobre la capa de túnel para formar óxido de túnel. Pasivado con silicio Los contactos tienen pasivación de interfaz y transporte de portador superiores. capacidades.

Difusión de fósforo

Introducción al proceso:El método de difusión térmica se utiliza para formar fuertemente dopados. polisilicio tipo n y la impureza de oxicloruro de fósforo La fuente se descompone completamente en un proceso de difusión a alta temperatura.

reactor en condiciones de alta temperatura para producir silicio dióxido y pentóxido de fósforo en la parte posterior de poli silicio. La impureza de fósforo tipo n se introduce a alta temperatura para formar polisilicio fuertemente dopado tipo n.

PSG

Introducción al proceso:El proceso PSG consta de un tanque de proceso, un tanque de agua, un tanque de secado y mesa de carga y descarga. El tanque HF está Se utilizó por primera vez para quitar el vidrio de fosfosilicato en los bordes y

frente. El objetivo es prepararse para el siguiente front-side. proceso de grabado.

Grabado frontal

Introducción al proceso:En el proceso de grabado frontal con álcali, se utiliza álcali con un aditivo de eliminación de curvatura para realizar el poligrabado en los cuatro lados y lados del frente. La capa de BSG/PSG en la parte delantera y trasera utiliza un aditivo de eliminación de curvatura para formar una capa de barrera para evitar la reacción entre BSG/PSG y el álcali y proteger la emisión frontal de boro expandido. El polisilicio n+ en el lado frontal y posterior se limpia con ácido y álcali en el tanque funcional para formar una interfaz limpia entre el emisor frontal y el polisilicio del lado posterior.

ALD

Introducción al proceso:Usando capa atómica ylaluminio) reacciona con agua desionizada para formar una película de Al2O3, que tiene una excelente pasivación Rendimiento para emisores expandidos de boro, reduce la interfaz. recombinación y mejora el rendimiento de pasivación. ALD tiene calidad de formación de película Alta eficiencia, buena uniformidad y control preciso de espesor de la película. deposición, TMA (trimetilaluminio) reacciona con agua desionizada para formar una película de Al2O3, que tiene una excelente pasivación Rendimiento para emisores expandidos de boro, reduce la interfaz. recombinación y mejora el rendimiento de pasivación. ALD tiene calidad de formación de película Alta eficiencia, buena uniformidad y control preciso de espesor de la película.

PEVD

Introducción al proceso:La deposición química de vapor mejorada con plasma se utiliza para ionizar el silano, el amoníaco y el gas de la risa a través de condiciones externas. como baja presión, alta temperatura y excitación por radiofrecuencia. Los reactivos ionizados se depositan en la parte delantera/posterior para formar un silicio. película de nitruro. Para desempeñar el papel de antirreflectante, los iones H pasivar los enlaces colgantes, reducir la recombinación y también desempeñar el papel de pasivación de la interfaz.

IMPRESIÓN Y DISPARO

Introducción al proceso:El objetivo principal de la impresión y la sinterización es preparar finos. líneas conductoras en la superficie de la célula solar, recogen fotogenerados portadores y conducirlos fuera de la célula para formar los positivos y Electrodos negativos de la célula solar. La pasta conductora será Diseñado bajo la acción del raspador y la pantalla. La línea de la cuadrícula El patrón se transfiere al frente y atrás a través de la pantalla, y luego A través de una sinterización rápida a alta temperatura, la pasta conductora impresa en la parte delantera y trasera forma un contacto de aleación de plata y silicio debajo del Acción de alta temperatura, de modo que el electrodo y el emisor estén en contacto entre sí. El silicio polidopado forma una excelente resistencia óhmica. contacto, así como recombinación de áreas de contacto de metal pequeño.

Inyección de luz

Introducción al proceso:Se utiliza una combinación de fuentes de luz LED con un espectro específico para iluminar las células solares sinterizadas. A través de los efectos de la temperatura. e intensidad de la luz, se ajustan los cambios en el nivel de Fermi y se La cantidad total y el estado de valencia de H se controlan para mejorar el efecto. de H sobre defectos internos y daños a las células solares. Interfaz rendimiento de pasivación.

PRUEBAS Y CLASIFICACIÓN

Introducción al proceso:Irradiando la superficie de la célula solar con luz solar simulada, se Se genera fotocorriente. La fotocorriente fluye a través del carga simulada y genera un voltaje en ambos extremos de la carga. El El dispositivo de carga calcula las diversas propiedades de la célula solar a través de un serie de cálculos y correcciones basados en la información actual y recopilada. Voltaje. índice. Las células solares se clasifican según su conversión fotoeléctrica. eficiencia, color, apariencia y EL.