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Oblea de silicio tipo P M6

166mm  P type silicon wafer
M6 Mono Wafer

Oblea de silicio tipo P M6

  • Largo de lado :

    166±0.25 mm
  • Diámetro :

    φ223±0.25 mm
  • Resistividad :

    0.4-1.1 Ω.cm
  • Vida útil del operador minoritario :

    ≥70µs

Tipo N VS. Oblea de silicio tipo P

Una oblea tipo p suele estar dopada con boro, aunque también se puede utilizar galio (raro). Las obleas P+ están fuertemente dopadas y normalmente tienen resistencias de <1 ohmio/cm2. Las obleas P+ se utilizan a menudo para sustratos Epi. Las obleas P están ligeramente dopadas con resistencias típicas de >1 ohmio/cm.2. Las orientaciones de cristal más comunes para las obleas tipo P son {100} y {111}.

Las obleas tipo N están dopadas con fósforo, antimonio o arsénico. Las obleas N+ están fuertemente dopadas con resistencias <1 ohmio/cm2. Las obleas N están ligeramente dopadas con resistencias >1 ohmios/cm.2. La resistividad es muy importante para los buenos dispositivos electrónicos y para el crecimiento uniforme de óxidos térmicos. El silicio de alta resistividad solo se puede producir utilizando el método de crecimiento de cristales de Zona Flotante (FZ), que no utiliza un crisol durante el crecimiento de cristales. El método Czochralski (CZ) utiliza un crisol de cuarzo durante el crecimiento del cristal, y el oxígeno del crisol impregna involuntariamente el material. El dopante de oxígeno se comporta como una impureza de tipo n e impide una alta resistividad. El material tipo n de baja resistividad se logra mediante dopaje con arsénico.

Estándares utilizados para medir la calidad de las obleas

1.Limpieza

1. Defectos del punto de luz (LPD): partículas no deseadas en la superficie de la oblea.

2. Partículas medidas por el número total encontradas en un área determinada de la oblea. Se aplican algunas exclusiones de bordes.

2.Planaridad

  1. Variación de espesor total (TTV): diferencia absoluta de espesor entre las partes más gruesas y más delgadas de la oblea. Un valor típico en una oblea de 8" sería inferior a 15 um.
  2. Deformación: la diferencia entre los valores mínimo y máximo de la superficie de la oblea medida desde un plano de referencia (generalmente la parte posterior de la oblea). Las desviaciones incluyen variaciones tanto cóncavas como convexas. Warp es una propiedad masiva. Un buen número de deformación en una oblea de 8" es inferior a 20 um.

3.Lectura total indicada global (GTIR) — Desviación máxima de pico a valle de una oblea respecto de un plano de referencia determinado (a menudo, la parte posterior de la oblea).

4.TIR del sitio - similar a GTIR excepto en sitios más pequeños en oblea. El TIR del sitio puede ser un parámetro de mayor importancia que el TIR global al resolver geometrías submicrónicas. 

5.Arco - Concavidad o deformación de la oblea medida desde el centro independiente de cualquier variación de espesor. Bow es una propiedad a granel. Un buen arco en una oblea Prime de 8" es de menos de 30 um.

 

 Parámetros geométricos

Propiedad
Especificación
Método de inspección
Método de crecimiento
CZ
Técnicas de grabado preferenciales
(Norma ASTM F47-88)
Cristalinidad
monocristalino 
Tipo de conductividad
tipo P
Probador tipo P/N (DLY-2P/N)
dopante
Galio
 
Concentración de oxígeno [Oi]
≤8E + 17 at/cm3
FTIR (ASTM F121-83)
Concentración de carbono [Cs]
 
≤ 5E + 16 at/cm 3
FTIR (GB/T 1558-2009)
Densidad de las picaduras de grabado
(densidad de dislocación)
 
≤ 500cm -2
Método de difracción de rayos X
(ASTM F26-1987)
Orientación de la superficie
< 100> ± 3°
Método de difracción de rayos X
(ASTM F26-1987)
Orientación de lados pseudocuadrados
<010>, <001>±3°
Método de difracción de rayos X
(ASTM F26-1987)
Método de corte
DW
 
Calidad de la superficie
como cortado y limpio, no visible
contaminación,
(aceite o grasa, huellas dactilares, manchas
manchas,
Los residuos de epoxi/pegamento no son
permitido)
sistema de inspección de obleas
Marcas de sierra
≤ 15 µm
sistema de inspección de obleas
Arco
≤ 40 micras
sistema de inspección de obleas
Deformación
≤ 40 micras
 
Chip
profundidad ≤0,3 mm y longitud ≤0,5 mm
Máximo 1/ud.; sin chip V
sistema de inspección de obleas
Microfisuras/agujeros
No permitido
sistema de inspección de obleas

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