Largo de lado :
166±0.25 mmDiámetro :
φ223±0.25 mmResistividad :
0.4-1.1 Ω.cmVida útil del operador minoritario :
≥70µsUna oblea tipo p suele estar dopada con boro, aunque también se puede utilizar galio (raro). Las obleas P+ están fuertemente dopadas y normalmente tienen resistencias de <1 ohmio/cm2. Las obleas P+ se utilizan a menudo para sustratos Epi. Las obleas P están ligeramente dopadas con resistencias típicas de >1 ohmio/cm.2. Las orientaciones de cristal más comunes para las obleas tipo P son {100} y {111}.
Las obleas tipo N están dopadas con fósforo, antimonio o arsénico. Las obleas N+ están fuertemente dopadas con resistencias <1 ohmio/cm2. Las obleas N están ligeramente dopadas con resistencias >1 ohmios/cm.2. La resistividad es muy importante para los buenos dispositivos electrónicos y para el crecimiento uniforme de óxidos térmicos. El silicio de alta resistividad solo se puede producir utilizando el método de crecimiento de cristales de Zona Flotante (FZ), que no utiliza un crisol durante el crecimiento de cristales. El método Czochralski (CZ) utiliza un crisol de cuarzo durante el crecimiento del cristal, y el oxígeno del crisol impregna involuntariamente el material. El dopante de oxígeno se comporta como una impureza de tipo n e impide una alta resistividad. El material tipo n de baja resistividad se logra mediante dopaje con arsénico.
Estándares utilizados para medir la calidad de las obleas
1.Limpieza
1. Defectos del punto de luz (LPD): partículas no deseadas en la superficie de la oblea.
2. Partículas medidas por el número total encontradas en un área determinada de la oblea. Se aplican algunas exclusiones de bordes.
3.Lectura total indicada global (GTIR) — Desviación máxima de pico a valle de una oblea respecto de un plano de referencia determinado (a menudo, la parte posterior de la oblea).
4.TIR del sitio - similar a GTIR excepto en sitios más pequeños en oblea. El TIR del sitio puede ser un parámetro de mayor importancia que el TIR global al resolver geometrías submicrónicas.
5.Arco - Concavidad o deformación de la oblea medida desde el centro independiente de cualquier variación de espesor. Bow es una propiedad a granel. Un buen arco en una oblea Prime de 8" es de menos de 30 um.
Parámetros geométricos
Propiedad | Especificación | Método de inspección |
Método de crecimiento | CZ | Técnicas de grabado preferenciales (Norma ASTM F47-88) |
Cristalinidad | monocristalino | |
Tipo de conductividad | tipo P | Probador tipo P/N (DLY-2P/N) |
dopante | Galio | |
Concentración de oxígeno [Oi] | ≤8E + 17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Concentración de carbono [Cs] | ≤ 5E + 16 at/cm 3 | FTIR (GB/T 1558-2009) |
Densidad de las picaduras de grabado (densidad de dislocación) | ≤ 500cm -2 | Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987) |
Orientación de la superficie | < 100> ± 3° | Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987) |
Orientación de lados pseudocuadrados | <010>, <001>±3° | Método de difracción de rayos X (ASTM F26-1987) |
Método de corte | DW | |
Calidad de la superficie | como cortado y limpio, no visible contaminación, (aceite o grasa, huellas dactilares, manchas manchas, Los residuos de epoxi/pegamento no son permitido) | sistema de inspección de obleas |
Marcas de sierra | ≤ 15 µm | sistema de inspección de obleas |
Arco | ≤ 40 micras | sistema de inspección de obleas |
Deformación | ≤ 40 micras | |
Chip | profundidad ≤0,3 mm y longitud ≤0,5 mm Máximo 1/ud.; sin chip V | sistema de inspección de obleas |
Microfisuras/agujeros | No permitido | sistema de inspección de obleas |
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