Como la principal tecnología de conversión de energía solar en el mercado actual, la optimización del rendimiento de células solares de silicio cristalino depende del diseño preciso de la estructura y del seguimiento del proceso de fabricación, entre los que se encuentran la unión PN El control del dopaje es particularmente crítico. Este aspecto afecta directamente la eficiencia de conversión fotoeléctrica y la estabilidad a largo plazo de las células solares, y es indispensable para mejorar el rendimiento general.

Usos en la fabricación de células solares de silicio cristalino difusión térmica química de alta temperatura Para lograr dopaje Uniones PN. difusión del boro y difusión de fósforo Son dos tecnologías de dopaje diferentes. La elección depende de los requisitos de diseño. Por ejemplo, difusión de fósforo se utiliza para formar el emisor en la producción de Células basadas en silicio de tipo N, y difusión de boro se utiliza para formar el emisor en la producción de Células de silicio de tipo P.

tasa de dopaje y tiempo Se utilizan principalmente para controlar la profundidad y concentración de dopaje De la unión PN en la fabricación de células solares. El control del proceso determina la eficiencia de separación y la longitud de difusión de los portadores dentro de la oblea de silicio. Control preciso del proceso de difusión es una de las claves para mejorar el rendimiento celular.

Un tiempo de dopaje demasiado corto o demasiado largo provocará una distribución desigual de los dopantes en la película y la resistencia de la lámina Variará según la zona. El valor de la resistencia laminar es principalmente una representación completa de la concentración superficial y la profundidad de la unión. Su influencia en los parámetros de la celda se centra principalmente en los tres puntos siguientes:

La profundidad de la unión PN difusa afecta directamente su absorción de luz de onda corta. Por lo tanto, dentro de un cierto rango, cuanto más superficial sea la unión PN difusa (mayor resistencia laminar), mayor será el valor de la corriente.

2. La concentración de dopaje del elemento de fósforo difundido afecta en cierta medida la conductividad de la pieza de silicio tipo N. Por lo tanto, cuanto mayor sea la concentración de dopaje (menor será la resistencia laminar), mayor será el factor de relleno.

3. Dentro de un cierto rango, el voltaje de circuito abierto aumentará a medida que aumente la concentración de difusión.

Comparación de datos de prueba y mapas de calor del comprobador de sonda de cuatro puntos en línea

Al medir la resistencia laminar de las obleas de silicio, se puede obtener información importante sobre la uniformidad y concentración del dopaje en ellas. El valor de la resistencia laminar afecta directamente la distribución lateral de la corriente y el efecto de recolección vertical, lo cual está estrechamente relacionado con el rendimiento general de las células solares.