Dificultades técnicas de TOPCon y HJT de células de silicio cristalino de alta eficiencia
Dificultades técnicas de TOPCon
Dificultades en el proceso TOPCon
difusión de boro
Problema con el revestimiento del devanado LPCVD
Problema de rotura de película de polietileno y polietileno
Pérdida de rendimiento debido a largos pasos del proceso
El quemado y la difusión destruyen la pasivación.
El proceso de alta temperatura causa daño a la obleas de silicio
Dificultades de costes de TOPCon
El consumo de plata de doble cara es mayor.
Bajo rendimiento
CTM bajo
Es difícil mejorar la eficiencia
La cuota de mantenimiento de equipos es alta.
Es difícil reducir el precio de los equipos.
Dificultad del proceso 1: expansión de boro
Difusión de BBr3/BCl3 con poca uniformidad
El tiempo de difusión es largo (3,5 h) y el tiempo de expansión de B es aproximadamente 1 veces más largo que el de la difusión de fósforo.
El uso de BCl3 en lugar de BBr3 tiene una unión más fuerte, lo que requiere una duración de temperatura alta de más de 3 horas y es difícil adelgazar la oblea de silicio.
Para acortar el tiempo, es necesario agregar un dispositivo de refrigeración por agua para acortar el tiempo de enfriamiento (30-50 minutos).
La alta temperatura de difusión (1000~1250°C) provoca graves daños a la oblea de silicio.
La distribución longitudinal de los átomos de B es pobre.
Solubilidad de sólidos
La profundidad de la unión es de hasta 1 um y la recombinación del portador es grave.
Radio atómico
B: 0,85 amy
Si: 1,1 angstroms
P: 1,0 angstrom
La gran diferencia en el radio atómico entre el boro y el silicio puede provocar fácilmente una distorsión de la red y más dislocaciones.
Los anillos de oxígeno OSF son fáciles de inducir y los anillos de dislocación en el proceso de extracción de cristales se inducen fácilmente en una atmósfera de oxígeno y se muestran como círculos concéntricos debajo de PL/EL.
Alta temperatura ←→ átomos pequeños ←→ alto contenido de oxígeno
Dificultad del proceso 2: deposición de polisilicio dopado
LPCVD es difícil
El ritmo del dopaje in situ es demasiado lento
Ruta madura: primer depósito de poli intrínseco → luego expansión de fósforo
Problemas de bobinado causados por el recubrimiento de una sola cara: el revestimiento del bobinado reduce en gran medida la tasa de rendimiento
El recubrimiento de doble cara puede mejorar el rendimiento, lo que resulta en una duplicación del número de equipos
Las paredes de las tuberías y las piezas de cuarzo están muy sucias: el mantenimiento del equipo es demasiado frecuente
PECVD es inmaduro
Problemas de uniformidad
El contenido de H es demasiado alto: ampolla de película reventada por hidrógeno
Contaminación del tubo P – el tubo P es una pared caliente
La limpieza de la cámara y de la placa de soporte es demasiado frecuente.
Dificultad del proceso 3: dos tipos de quemado
Categoría I: Quemadura de elementos dopados
La policapa dopada con P penetra en la capa de SiOx y la pasivación disminuye.
Categoría II: Pasta metálica quemada
Parte posterior: la capa de polisilicio de la parte posterior de la pasta de plata se quema, lo que resulta en una disminución de la pasivación.
Delantero: unión PN quemada, fuga
Dificultades técnicas de HJT
Dificultades en el proceso HJT
Mantener la limpieza de las obleas de silicio antes y después de PECVD
Equilibrio entre uniformidad de deposición VHF y alto rendimiento
Estabilidad de la batería
Dificultades de costos de HJT
El costo de la pasta de plata es alto.
CTM bajo
El costo del equipo es mayor.
Posibles aumentos de precios para las ITO
Dificultades técnicas de HPBC
Dificultades técnicas de HPBC
Alineación de tres vías (láser 1/2, aluminio serigrafiado)
Proceso de post-texturizado (doble lanzamiento + post-texturizado)
Degradación del rendimiento debido al quemado de Ag (puntos calientes, corriente de fuga, cortocircuitos)
Tecnología de conexión de componentes
Sin una FSF frontal, no es posible empujar a los portaaviones hacia atrás, lo que reducirá la eficiencia.
Fuga parásita en la zona inversa.
El compuesto de aluminio del campo trasero es serio
Dificultades de costos de HJT
Bajo rendimiento
No hay datos disponibles para CTM
Cuellos de botella para mejorar la eficiencia
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