Para liberar el pleno rendimiento de células solares de heterounión de silicio, es necesario reducir las pérdidas parasitarias. Los investigadores han desarrollado un sistema de deposición química de vapor mejorado por plasma de alta frecuencia a escala industrial.

1) El sistema tiene un efecto de onda estacionaria minimizado y es capaz de depositar nc-SiOx:H dopado con excelente selectividad electrónica, baja absorción parásita y alta uniformidad. A continuación, los autores muestran un revestimiento de cobre sin semillas, lo que da como resultado una rejilla con una alta relación de aspecto y una baja fracción de metal.

2) Para dispositivos de heterounión de silicio de doble cara de tamaño M6 con electrodos de plata serigrafiados y electrodos recubiertos de cobre, los autores obtuvieron eficiencias certificadas de 25,98% y 26,41%, respectivamente. Estos resultados resaltan el potencial de rendimiento de la tecnología de heterounión de silicio y reducen la barrera de entrada para la fabricación a gran escala.