Ventaja:

1. El flujo del proceso es corto. El proceso de células solares HJT incluye principalmente cuatro enlaces: texturizado, deposición de silicio amorfo, deposición de TCO y serigrafía, que es mucho menor que el de PERC (10) y TOPCON (12-13). Entre ellos, el método PECVD se utiliza principalmente para la deposición de silicio amorfo. Actualmente existen dos métodos para la deposición de películas delgadas de TCO: RPD (Deposición Reactiva de Plasma) y PVD (Deposición Meteorológica Fisicoquímica). Sumitomo Heavy Industries posee la patente de RPD, la tecnología PVD está madura y hay muchos fabricantes que proporcionan equipos.

2. Alta eficiencia de conversión. Esto se debe principalmente al efecto de doble pasivación de los sustratos de silicio tipo N y del silicio amorfo sobre los defectos de la superficie del sustrato. En la actualidad, la eficiencia de la producción en masa es generalmente superior al 24%, y la ruta técnica de más del 25% ha sido muy clara, es decir, el uso de silicio nanocristalino dopado, silicio microcristalino dopado, óxido de silicio microcristalino dopado, carburo de silicio microcristalino dopado. en las superficies delantera y trasera para reemplazar el dopaje existente, y la eficiencia de conversión del IBC y perovskita superpuestos con HJT puede aumentarse a más del 30% en el futuro.

3. Sin LID ni PID, baja atenuación. Dado que el sustrato de Células solares HJT suele ser silicio monocristalino de tipo N, y el silicio monocristalino de tipo N está dopado con fósforo, no hay compuesto de boro-oxígeno ni compuesto de boro-hierro en el silicio cristalino de tipo P, por lo que las células solares HJT son inmunes al efecto LID. La superficie de la célula solar HJT está depositada con una película de TCO y no hay una capa aislante, por lo que no hay posibilidad de que la capa superficial se cargue y se evita la aparición de PID en la estructura. La atenuación de las células solares HJT es del 1 al 2 % durante el primer año y del 0,25 % anual a partir de entonces, lo que es mucho menor que la atenuación de las obleas dopadas con galio en las células solares PERC (2 % en el primer año y 0,45 % por año). año posterior), por lo que la generación de energía por W en todo el ciclo de vida de las células solares HJT es aproximadamente entre un 1,9% y un 2,9% mayor que la de las células solares PERC bifaciales.

4. Coeficiente de baja temperatura y alta generación de energía. El coeficiente de temperatura de energía de las células solares HJT suele ser de –0,25 a 0,2 %/°C, que es inferior al de -0,45 %/°C a -0,35 %/°C de las células solares convencionales y PERC. El bajo coeficiente de temperatura de HJT significa que la célula solar HJT tiene un rendimiento de generación de energía relativamente alto en el entorno de funcionamiento a alta temperatura del módulo, para lograr una ganancia de generación de energía y reducir el LCOE del sistema. Si la temperatura de funcionamiento de la célula solar supera la temperatura ambiente entre 10 y 40 °C, y la temperatura ambiente media anual es entre 5 y 10 °C inferior a las condiciones de funcionamiento estándar en el laboratorio, la generación de energía por W de las células solares HJT es aproximadamente entre un 0,6% y un 3,9% más alto que el de las células solares PERC bifaciales.

5. Alta bifacialidad. Los lados frontal y posterior de HJT tienen una estructura simétrica, y la película TCO es transparente, que es naturalmente una célula solar bifacial, y la bifacialidad de HJT puede alcanzar más del 90% (hasta 98%), y la bifacialidad de bifacial El PERC es solo del 75%+. Según los cálculos de Solarzoom, considerando la diferencia del 10% al 20% de la irradiación posterior y la bifacialidad de la célula solar, la generación de energía por vatio de las células solares HJT es aproximadamente entre un 2% y un 4% mayor que la de las células solares PERC bifaciales.

6. Efecto de poca luz. La oblea de silicio monocristalino tipo N se usa para células solares HIT, mientras que la oblea de silicio monocristalino tipo P se usa para células solares PERC, y el rendimiento de generación de energía del tipo N es aproximadamente 1%-2% mayor que el del tipo P. bajo una intensidad de irradiación inferior a 600 W/m, y la generación de energía por W de las células solares HJT es aproximadamente entre un 0,5 y un 1,0 % mayor que la de las células solares PERC bifaciales debido al débil efecto de la luz.

En resumen, la generación de energía por W de las células solares bifaciales HJT es significativamente mayor que la de las células solares bifaciales PERC en todo el ciclo de vida, y la ventaja relativa es de aproximadamente el 7%.

HJT: Progreso de la industrialización – Economía

En la actualidad, el alto costo es un factor importante que limita la industrialización a gran escala de la tecnología HJT.

1. Las rutas de proceso HJT y PERC son completamente diferentes, no se pueden ampliar, solo se pueden colocar en nuevas líneas de producción y HJT no es compatible con los equipos de producción PERC convencionales, por lo que la inversión en PECVD y otros equipos de vacío y producción de películas traerá consigo mayores costos de conversión para las empresas.

2. Estructura de costos de las células solares HJT: costo de las obleas de silicio, materiales distintos del silicio (pasta de plata, objetivo, gas y productos químicos, etc.), depreciación del equipo, otros gastos de fabricación (incluidos los costos de mano de obra y energía), etc.

El alto costo de las células solares HJT se refleja principalmente en los enlaces de pasta, objetivo y equipo. 1) Debido a que la conductividad de la pasta de plata a baja temperatura requerida por HJT es relativamente débil y la resistencia a la tracción de la soldaduraLa fuerza es baja, el consumo es grande y la tasa de localización de la pasta de plata de baja temperatura es baja, por lo que su precio es actualmente significativamente más alto que el de la pasta de plata de alta temperatura. 2) HJT requiere una deposición adicional de capas conductoras transparentes y el precio de objetivos como ITO (ruta PVD) o IWO (ruta RPD) es alto. 3) La inversión en equipos HJT es alta. En la actualidad, el monto de inversión en equipos HJT es de 4 a 450 millones de yuanes/GW, que es más del doble que el de PERC (alrededor de 150 a 200 millones de yuanes/GW).