Durante la producción de células, el proceso de difusión térmica a menudo afecta numerosos factores en el rendimiento de las células solares TOPCon, lo que resulta en cambios en el rendimiento de las células. Con el objetivo de evaluar científicamente el grado de influencia del proceso de difusión térmica en el rendimiento de las células solares TOPCon

Difusión térmica y su efecto sobre los factores de rendimiento de TOPCon.

El proceso de difusión térmica es un paso importante en la preparación de células solares TOPCon, que se utiliza principalmente para formar regiones dopadas en la superficie de obleas de silicio, a fin de lograr la formación de uniones P-N y la recolección selectiva de portadores. Hay dos tipos principales de procesos de difusión térmica: difusión por desplazamiento y difusión intersticial. La difusión alternativa se refiere a la posición de los átomos de impureza que reemplazan a los átomos de silicio para formar una región dopada; La difusión intersticial se refiere a átomos de impurezas que llenan los huecos en la red de silicio, formando un área dopada.

Efecto sobre el efecto de pasivación de la interfaz TOPCon

El proceso de difusión térmica afectará la densidad interfacial de la superficie de la oblea de silicio, afectando así el efecto de pasivación interfacial. Cuanto menor sea la densidad de estados en la interfaz, mejor será la pasivación de la interfaz, menor será la recombinación de portadoras y mayor será el voltaje de circuito abierto. En general, la difusión alternativa es más beneficiosa que la difusión intersticial para reducir la densidad interfacial de estados porque reduce la distorsión de la red y los defectos de vacancia. Por lo tanto, en las células solares TOPCon, se puede obtener un mejor efecto de pasivación de la interfaz mediante el proceso de difusión de sustitución.

Efecto sobre la recogida selectiva de transportistas TOPCon

El proceso de difusión térmica afecta la colección selectiva de portadores en la superficie de la oblea, lo que afecta el factor de llenado y la corriente de cortocircuito. Cuanto mayor sea la capacidad de recogida selectiva de la portadora, mayor será el factor de llenado y la corriente de cortocircuito. En el proceso de difusión térmica, los fabricantes de células suelen utilizar la difusión intersticial para la preparación, porque es más fácil lograr la estabilidad y controlabilidad del proceso por difusión intersticial que la difusión basada en reubicación. La velocidad de reacción y la concentración de dopaje de difusión intersticial son más simples y lineales en función de la temperatura. Por lo tanto, en las células solares TOPCon, el proceso de difusión intersticial se puede utilizar para lograr una mayor estabilidad y controlabilidad del proceso.

Impacto en la estabilidad y controlabilidad del proceso TOPCon

El proceso de difusión térmica se ve afectado por una variedad de factores como la temperatura, el tiempo, la presión, la atmósfera, etc., lo que afecta la estabilidad y controlabilidad del proceso. Cuanto más estable y controlable sea el proceso, más uniforme y fiable será el rendimiento de la batería. Cuando se utilizan los dos tipos de difusión para procesos de difusión térmica, es importante comprender que la difusión intersticial es más fácil de lograr estabilidad y controlabilidad del proceso que la difusión basada en reubicación, porque la velocidad de reacción y la concentración de dopaje de la difusión intersticial son más simples y lineales en relación. a la temperatura.